1.优化耐压终端环，实现IGBT高阻断电压，达到工业级和汽车级可靠性标准；

2.控制少子寿命，优化饱和压降和开关速度，实现安全工作区（SOA）和短路电流安全工作区SCSOA性能最优；

3.改善IGBT有源区元胞设计可靠性，抑制IGBT的闩锁效应；

4.调节背面减薄、注入、退火、背金等工艺；实现60um~180um晶圆厚度的大规模量产。