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| SVG103R0NSTR |
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| SVG103R0NSTR是SILAN士兰微的一款MOS管|IGBT|模块,我司不但为您提供可靠的全新原装SVG103R0NSTR，还可提供SVG103R0NSTR应用资料、免费样品及产品研发技术支持！详情可致电垂询. | | 元件型号：SVG103R0NSTR | | 元件品牌：SILAN士兰微 | | 封装：TO263 | | 参数：180A 100V N-MOS |
| 全新原装正品保障，质量是企业的生命！ |
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SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
SVG103R0NSTR产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特性 • 180A，100V，RDS(on)(典型值)=2.5mΩ@VGS=10V
• 低栅极电荷
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt能力
• 100%雪崩测试
• 无铅管脚镀层
• 符合RoHS环保标准 |
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| 联系方式 |
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