SVF4N150F是士兰微的一款4A 1500V MOS管,昆山东森微电子有限公司为士兰微一级代理,可提供技术支持及13%增票，常备SVF4N150F库存.

SVF4N150PF(P7)(F) N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于开关电源。
特点
4A，1500V，Rds(on)(典型值)=5.0R@Vgs=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了 dv/dt 能力