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2SK3878 |
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2SK3878是TOSHIBA的一款MOS管|IGBT|模块,我司不但为您提供可靠的全新原装2SK3878,还可提供2SK3878应用资料、免费样品及产品研发技术支持!详情可致电垂询. | 元件型号:2SK3878(STA1,E,S) | 元件品牌:TOSHIBA | 封装:TO3P | 参数:9A 900V MOS管 |
全新原装正品保障,质量是企业的生命! |
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型号:2SK3878(STA1,E,S) 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 900V 连续漏极电流(Id) 9A 功率(Pd) 150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1Ω@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@1mA 栅极电荷(Qg@Vgs) 60nC@10V 输入电容(Ciss@Vds) 2.2nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds) 190pF@25V 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj) |
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