描述
NCE7580采用先进的沟槽式技术提供低导通电阻(Rdson)，低栅电荷，EAS高且稳定性，一致性好。这种器件适合应用在PWM，负载开关电路，UPS或其他的一些应用中。
基本特性
● VDS=75V；ID=80A@ VGS=10V；
RDS(ON)<8mΩ @ VGS=10V
● 先进的沟槽工艺技术
● 专门的设计保证电流转化以及功率控制的应用
● 为保证低导通电阻而特有的高单胞密度设计
● 较大的电流以及击穿电压余量
● 雪崩能量保证100%测试
应用
●
功率转换
●
硬开关以及高频电路
●
不间断电源（UPS）
封装打标和订购信息
器件打标 NCE7580
器件7580
器件封装TO-220-3L
表 1. 工作条件（TA=25`C有特殊说明除外）
参数
符号
极限值
单位
漏源电压 (VGS=0V）
VDS
75
V
栅源电压 (VDS=0V)
VGS
±25
V
漏极电流 (静态) at Tc=25℃
ID (DC)
80
A
漏极电流 (静态) at Tc=100℃
ID (DC)
78
A
漏极连续电流@脉冲电流 (注释 1)
IDM (pluse)
320
A
二极管恢复电压峰值
dv/dt
30
V/ns
最大功耗(Tc=25)℃
PD
170
W
降额因数
1.13
W/℃
单脉冲雪崩能量(注释 2)
EAS
580
mJ
工作结温以及存储温度范围
TJ,TSTG
-55 To 175
℃
注释 1. 脉冲宽度受限于最大结温度
2. EAS 测试条件：Tj=25℃,VDD=50V,VG=10V,L=0.3mH ,ID=62A; |
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